[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [10p-S202-7] 4H-SiCバイポーラ劣化抑制に向けたドリフト層内のキャリアライフタイムの検討

〇三井 俊樹¹、加藤 正史¹ (1.名工大)

キーワード：SiC、バイポーラ劣化、キャリアライフタイム

4H-SiCは次世代パワーデバイス用の半導体材料として注目されているが、pnダイオードへの順方向通電により積層欠陥が拡張し、バイポーラ劣化を引き起こすことが知られている。バイポーラ劣化は基板に到達する正孔濃度が一定量を超えることで生じると推測されており、その抑制にはドリフト層のキャリアライフタイムτ_bulkを短くすることが求められる。しかしながら、実際に測定されるキャリアライフタイムの値は基板と表面の影響を受けるため、τ_bulkが十分短いかどうかを確認することは困難であった。そこで本研究では、数値計算によりτ_bulkが十分短いことを実験的に確認するための指針を検討した。