[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-S203-2] 原子平坦アモルファス薄膜を用いたTaO_xのアナログメモリ動作過程の直接観察

〇福地 厚¹、片瀬 貴義²、太田 裕道³、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研、3.北大電子研)

キーワード：メモリスタ、アナログメモリ、酸化タンタル

脳型コンピューティング応用における重要原理であるアナログ抵抗変化現象の物理機構の理解に向けて、原子レベルで平坦な表面を持つアモルファスTaO_x薄膜を作製し、導電性探針原子間力顕微鏡法による構造・伝導度解析を実施した。作製したTaO_x薄膜では、アナログ・リセットをはじめとする各種のアナログ抵抗変化現象を顕微鏡探針により誘起する事が可能となり、抵抗変化の発生時における原子移動過程の観察が実現された。