[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-S203-4] ペロブスカイト型酸化物抵抗変化メモリの光応答特性評価及び人工シナプスデバイス応用の検討

〇山崎 悠太郎¹、橋本 悠太¹、青木 裕雅¹、木下 健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：抵抗変化メモリ、NbSrTiO(NbSTO)、光エレクトロニクス