[10p-S203-1~21] 6.3 Oxide electronics

[10p-S203-5] Stochastic resonance simulation using resistive switching devices considering their characteristics

〇Katsuya Kotake¹, Takuma Ushiku¹, Kentaro Kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:stochastic resonance, ReRAM

確率共鳴とは，入力信号にノイズを重畳することで，入出力の相関係数があるノイズ強度でピークをとる現象である．確率共鳴のピーク位置は閾値に依存するため，素子間 (device-to-device)の閾値ばらつきに注目した研究は存在するが，素子内(cycle-to-cycle)の閾値ばらつきが考慮された例はない．本研究では，単一素子内の閾値ばらつきを考慮した確率共鳴シミュレーションを行い，応答への影響を調査した．