[10p-S302-1~18] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

△ [10p-S302-7] トポロジカルチャージの揺らぎが反強磁性体中のスカーミオンの速度に与える影響

〇成瀬 貴彦¹、森島 一輝¹、近藤 憲治¹ (1.北大電子研)

キーワード：スカーミオン、反強磁性体、スピントロニクス

反強磁性体中のスカーミオンの速度を数値計算し、その速度が電流密度を上げるにつれ、上限値に漸近することを発見した。これはThiele方程式から得られる解析解と矛盾している。その原因をトポロジカル電荷Qの値がゼロから揺らいでいるためだと考え、Thiele方程式をQがゼロでない形で解いて得られた速度の解析解を用いてQを見積もった。その結果Qがゼロから揺らいでおり、その揺らぎが速度の飽和に関係していることが分かった。