[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-N101-1] HVPE法によるGaNの極性反転とサファイア基板上への直接成長

〇美作 龍星¹、谷川 俊介¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、山田 陽一¹、只友 一行¹ (1.山口大学院創成科学研究科)

キーワード：GaN、HVPE