[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11a-N101-7] HVPE-GaN自立基板中単独貫通転位上に作製したショットキー接触における電気特性の温度依存性

〇(M1)佐藤 俊和¹、濱地 威明¹、藤平 哲也¹、林 侑介¹、今西 正幸²、宇佐美 茂佳²、森 勇介²、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、ショットキー接触、貫通転位