[11a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [11a-N101-8] High-rate growth of the OVPE-GaN crystal by the suppression of polycrystal formation at a high temperature, 1300^oC

〇Ayumu Shimizu¹, Shigeyoshi Usami¹, Masahiro Kamiyama¹, Masayuki Imanishi¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura², Masahiko Hata³, Masashi Isemura⁴, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ., 3.Itochu Plastics Inc., 4.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:Gallium Nitride, OVPE, Semiconductor

Ga源としてGa₂Oガスを用いるOVPE法では、HClフリーのため固体の副生成物が生成せず、原理的に長時間の成長が期待できる。一方で、100μm/h以上の高速成長条件において基板上に発生する多結晶により厚膜化が阻害されるという問題がある。本研究では育成温度向上による気相核生成の発生抑制に着眼し、1300^oCの高温環境下において多結晶生成を抑制することで、約200µm/hの成長速度でのOVPE-GaN結晶の厚膜成長を試みた。