[11a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [11a-N101-9] Color reduction and electrical characterization of OVPE-GaN substrates for laser slicing

〇Hiroaki Mifune¹, Shigeyoshi Usami¹, Masahiro Kamiyama¹, Masayuki Imanishi¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura², Tomoaki Sumi³, Junichi Takino³, Yoshio Okayama³, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ., 3.Panasonic Corporation, 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:Gallium nitride, OVPE method, Low resistivity

OVPE-GaN結晶へのレーザースライスの適用には着色の低減が必須であるが、着色の低減には結晶中酸素濃度を低減させる必要があるため、OVPE-GaN結晶のメリットである超低抵抗が損なわれる可能性があった。そこで、本研究では低着色なOVPE-GaN結晶の作製及び電気特性評価を行い着色が電気抵抗に与える影響を調査した。その結果、着色低減に成功し、電気特性評価から点欠陥減少による活性化率向上効果によりある程度低抵抗な基板の作製に成功した。