[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11a-N101-9] レーザースライスに向けたOVPE-GaN基板の着色低減及び電気特性評価

〇三船 浩明¹、宇佐美 茂佳¹、神山 将大¹、今西 正幸¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志²、隅 智亮³、滝野 淳一³、岡山 芳央³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.パナソニック(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

キーワード：窒化ガリウム、OVPE法、低抵抗率

OVPE-GaN結晶へのレーザースライスの適用には着色の低減が必須であるが、着色の低減には結晶中酸素濃度を低減させる必要があるため、OVPE-GaN結晶のメリットである超低抵抗が損なわれる可能性があった。そこで、本研究では低着色なOVPE-GaN結晶の作製及び電気特性評価を行い着色が電気抵抗に与える影響を調査した。その結果、着色低減に成功し、電気特性評価から点欠陥減少による活性化率向上効果によりある程度低抵抗な基板の作製に成功した。