2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[11a-N102-1~8] 3.13 半導体光デバイス

2021年9月11日(土) 09:30 〜 11:45 N102 (口頭)

宮本 智之(東工大)

09:45 〜 10:00

[11a-N102-2] ミスト化学気相成長法で作製したZnOナノワイヤ内のFDTDによるレーザー共振器モードの解析

東海林 篤1、酒井 優1、光野 徹也2 (1.山梨大工、2.静岡大工)

キーワード:ナノワイヤ、レーザー発振モード、ZnO

ミスト化学気相成長法で5μm長のZnOナノワイヤを作製し355nmのレーザーを照射したところ、バンド端付近に複数のレーザー発振ピークが確認された。その発振ピークの間隔は、ナノワイヤの長さと屈折率から期待されるファブリーペロー型のモードのピーク間隔と異なっており、他のモードが混じっていることが示唆された。本研究では、FDTDシミュレーションを使い、どのようなモードが混じっているのか解析を行った。