[11a-N102-1~8] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [11a-N102-5] FSI InGaAs PhotoFETs utilizing SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate

〇(M2)Kazuaki Oishi^1,2, Takashi Koida², Tetsuji Shimizu², Hiroyuki Ishii², Wen-Hsin Chang², Hiroto Ishii^1,2, Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹, Tatsuro Maeda^1,2 (1.TUS, 2.AIST)

Keywords:semiconductor, InGaAs, PhotoFETs

我々は、Si-LSI回路と化合物半導体のヘテロ集積を目指し、表面照射型InGaAs PhotoFETによる近赤外線検出と、その分光感度特性などを評価してきた。今回、TCOゲートを用いた表面照射型InGaAs PhotoFETの作製を試みた。その結果、高移動度InGaAs nMOSFET動作の確認と、TCOゲート下のInGaAsチャネルを感光層にすることで、高感度な近赤外線検出に成功したので報告する。