[11a-N102-1~8] 3.13 半導体光デバイス

△ [11a-N102-5] 近赤外域透明導電性酸化膜ゲートによる表面照射型 InGaAs PhotoFETs

〇(M2)大石 和明^1,2、鯉田 崇²、清水 鉄司²、石井 裕之²、張 文馨²、石井 寛仁^1,2、遠藤 聡¹、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：半導体、InGaAs、フォトトランジスタ

我々は、Si-LSI回路と化合物半導体のヘテロ集積を目指し、表面照射型InGaAs PhotoFETによる近赤外線検出と、その分光感度特性などを評価してきた。今回、TCOゲートを用いた表面照射型InGaAs PhotoFETの作製を試みた。その結果、高移動度InGaAs nMOSFET動作の確認と、TCOゲート下のInGaAsチャネルを感光層にすることで、高感度な近赤外線検出に成功したので報告する。