[11a-N207-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

△ [11a-N207-3] Siストリップ導波路を用いた非対称方向性結合器による波長依存性低減の検討

〇(D)宮武 悠人¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：シリコンフォトニクス、方向性結合器

方向性結合器はシリコン光回路の最も基本的な受動素子の一つであり、深層学習用光回路や量子計算用光回路などの基本回路である光ユニタリ回路を構成することができるが、波長依存性が大きく、動作波長範囲が狭くなることが課題である。本研究では、Siストリップ導波路を用いて、導波路幅が異なる非対称方向性結合器を設計した。非対称構造とすることで、波長依存性を低減できることが数値計算により分かったので報告する。