[11a-N302-1~11] 17.3 層状物質

[11a-N302-3] 有機金属気相成長法におけるInSe薄膜の成長機構

〇遠藤 由大¹、関根 佳明¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性基礎研)

キーワード：III-VI属半導体、有機金属気相成長法

２次元層状半導体のInSeは高いキャリア移動度、赤外～可視光領域にバンドギャップエネルギーをもつことから、ナノ光電子デバイスへの応用が期待される。本研究では、有機金属気相成長法を用いてc面サファイア基板上にInSeを成長した。Se/In原料供給量比の異なる条件で成長した試料のAFM観察を行うことで、供給量比に依存したドメイン形状および平坦性の変化を明らかにした。