[11a-N302-1~11] 17.3 層状物質

△ [11a-N302-5] 反応性スパッタリングによるMoS₂薄膜の作製

〇(D)金 明玉^1,2、ジトー マキシム¹、宮下 直也¹、岡田 至崇^1,2 (1.東大先端研、2.東大院工)

キーワード：MoS2、反応性スパッタリング、面直成長

本研究では反応性スパッタリングでMoS₂薄膜を作製し、その物性評価を行った。石英ガラスとMoがコーティングされたSLG基板上にMoはスパッタリングで、硫黄はホットリップセルで同時蒸着させて成膜を行う。基板温度が310^oCと低い条件でも、成膜後処理なしで2H-MoS₂が成膜できた。面直方向に成長しており、結晶粒の大きさが成膜時の硫黄分圧に依存することがわかった。