[11a-N302-1~11] 17.3 層状物質

△ [11a-N302-8] その場観測による単層WS₂成長インキュベーション時間決定機構の解明

〇(M1)岩本 祐汰¹、強 効銘¹、金子 俊郎¹、加藤 俊顕¹ (1.東北大工)

キーワード：二次元層状材料、その場観測、成長機構

本研究では独自に開発したその場観測CVDを用いて、2次元半導体材料である遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の詳細な核発生機構の解明に取り組んだ。基板温度とインキュベーションタイムの相関を解析した結果、TMDの核発生が前駆体の拡散律速と化学ポテンシャル差由来の成長駆動力律速のバランスで決定する時間－温度変態（ＴＴＴ）曲線で説明できることを実験的に初めて明らかとした。