[11a-N304-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11a-N304-10] Growth of polycrystalline BaSi₂ films on insulating layers for electrical characterizations

〇Ryuichi Yoshida¹, Ryota Koitabashi¹, Yudai Yamashita¹, Masami Mesuda², Kaoru Toko¹, Takashi Suemasu¹ (1.Univ.Tsukuba, 2.Tosoh Corporation)

Keywords:seimiconductor

新規熱電材料としてBaSi₂に着目している。BaSi₂は資源が豊富で有毒ではないBaとSiで構成されている。しかし、熱電特性を含めて電気特性評価時に Si 基板の寄与を排除することは容易でない。本研究では、Si 基板上に絶縁体であるSi₃N₄膜を堆積し、その上にBaSi₂膜を形成することで、BaSi₂膜の電気特性を評価すること を目的とする。