[11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-N304-5] 真空蒸着法により作製したMg₂Si薄膜の高品質化に向けたface-to-faceアニールの効果

〇佐藤 海誓¹、宮本 聡¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、伊藤 孝至¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：Mg2Si、シリサイド半導体、真空蒸着