[11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-N304-6] 2元同時スパッタリング法によるMg₂Si_1-xSn_x薄膜の形成

〇上藤 健太¹、勝俣 裕¹ (1.明大理工)

キーワード：Mg2Si、Mg2SiSn

Mg₂Siは環境配慮型半導体として様々なデバイスへの応用が期待される。また， Mg₂Si_1-xSn_xは組成比を変化させることで禁制帯幅を制御することができるため，SWIR〜MWIR領域の赤外受光素子として期待されている。しかし，組成の制御や結晶性，電気的特性に課題がある。本研究ではMg₂SiターゲットとSnターゲットを用いた2元同時スパッタリング法により，各々の成膜レートを独立して制御することにより，Mg₂Si_1-xSn_x 薄膜の組成を変化させると共に膜質の改善を図る。