2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年9月11日(土) 09:00 〜 12:00 N304 (口頭)

山口 憲司(量研機構)、原 康祐(山梨大)

11:15 〜 11:30

[11a-N304-9] スパッタリング法によるB-doped BaSi2膜の作製と評価

長谷部 隼1、小板橋 嶺太1、木戸 一輝1、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

キーワード:半導体、スパッタリング、太陽電池