[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-1] [講演奨励賞受賞記念講演] GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響

〇伊藤 佑太¹、渡邉 浩崇²、安藤 悠人²、出来 真斗⁴、狩野 絵美²、新田 州吾²、本田 善央²、五十嵐 信行²、田中 敦之^2,3、天野 浩^2,4,5 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.物材機構、4.名大VBL、5.名大ARC)

キーワード：イオン注入、GaN、Mg

GaNへのMgイオン注入によるp型伝導制御は、様々な導入欠陥の形成が問題とされる。我々のグループでは高温注入を行うことで導入欠陥を低減させることに成功している。さらに、単位時間当たりの注入量(ビーム電流量)を低くすることで、Mg 活性化率の増加を示唆する結果が得られた。本実験では、大小2桁の異なるビーム電流量でイオン注入を行い、各試料の導入欠陥を走査型透過電子顕微鏡(STEM)で観察した。