[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [11a-N305-7] ホモエピタキシャル成長p型GaN中の窒素原子変位関連欠陥により形成されるホールトラップ

〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位、p-GaN

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，GaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．今回，p-n⁺接合ダイオードに対して137 keVの電子線照射を行うことで，これまで報告の無いp型GaN中の窒素原子変位関連欠陥により形成されるホールトラップEHaについて明らかにした．また，このトラップが順方向バイアスの印加によって変化することを発見した．EHaの活性化エネルギーが，第一原理計算により報告されているV_N (3+/+)，N_I (2+/+)の値と良い一致を示すことから，EHaの起源はV_NまたはN_Iであると推察される．