2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[11p-N107-1~16] 23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

2021年9月11日(土) 13:30 〜 18:00 N107 (口頭)

辻野 賢治(東京女子医大)、小島 拓人(名大)、小山 幸典(物材機構)

16:00 〜 16:15

[11p-N107-10] トポロジーと機械学習を用いたSiC溶液成長における流れ分布の最適化

〇(M2)磯野 優1、横山 知郎2、沓掛 健太朗3,4、原田 俊太1,4、田川 美穂1,4、宇治原 徹1,4 (1.名大院工、2.岐大工、3.理研AIP、4.名大未来研)

キーワード:最適化、トポロジー、SiC溶液成長

SiC溶液成長法において結晶の成長速度やモフォロジーに影響を与える坩堝内溶液の流れ分布を制御することは重要である。しかし、流れ分布などの分布を目的関数に反映させるのは困難である。そこで本研究では、流れ分布の中で流速がゼロになるよどみ点に着目し、高品質な3inchの結晶が得られたときの流れ分布を6inchの結晶成長でも再現するようなプロセスパラメータの探索を行った。