[11p-N204-1~13] 13.9 Compound solar cells

[11p-N204-1] Influence of substraet temperature on MBE growth of ZnSnP₂ thin films

〇(D)Taro Kuwano¹, Yoshitaro Nose¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:photovoltaics, bandgap, order-disorder

リン化物半導体ZnSnP2は、太陽光発電に適した光吸収係数とバンドギャップを有し、安価な元素で構成される。我々はこれまで、バルク結晶を用いた太陽電池に関して、最高変換効率3.87%を報告した。さらなる効率向上には、薄膜作製手法の確立が急務である。本研究では、MBEにより作製したZnSnP2薄膜について、成膜時の基板温度依存性について報告する。