16:45 〜 17:00
[11p-N204-13] ドロップ蒸発堆積Co3O4および電気化学堆積ZnOを用いたCo3O4/ZnOヘテロ接合
キーワード:ドロップ蒸発法、Co3O4/ZnOヘテロ
Co3O4はバンドギャップが1.5eVのp型半導体である。本研究では、基板に溶液を少量滴下してから加熱することで容易に大面積の堆積が可能なドロップ蒸発法によってCo(OH)2薄膜を堆積し、アニール処理によってCo3O4に変化する。また、電気化学堆積法によって堆積したZnOを使用してCo3O4/ZnOヘテロ接合を作製した。電流密度-電圧測定の結果によって、Co3O4/ZnOヘテロは弱い光起電力が観測され、太陽電池の作製に成功した。