2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[11p-N302-1~13] 17.3 層状物質

2021年9月11日(土) 13:30 〜 17:00 N302 (口頭)

川那子 高暢(東工大)

13:45 〜 14:00

[11p-N302-2] 強ドナー性分子の接合によるMoS2の金属転移と伝導機構の考察

松山 圭吾1、吉村 武1、藤村 紀文1、桐谷 乃輔1 (1.阪府大院工)

キーワード:遷移金属カルコゲナイド、二硫化モリブデン

遷移金属カルコゲナイド(TMDC)は、キャリア濃度の変調により、超伝導相やトポロジカル絶縁体相への転移を誘起しうると期待されている。TMDCのひとつであるMoS2に対して、強ドナー性分子を接合することで、強く電子状態の変調を実現しているものの、有機-TMDC接合デバイスにおけるデバイス物性についての検討はなされていない。本研究ではMoS2に対してドナー性分子を接合したデバイスを作製し、デバイス特性や電子状態の温度依存性の観測、および伝導機構の考察を試みた。