[11p-N302-1~13] 17.3 層状物質

[11p-N302-5] ドライ転写によるツイスト型多層MoS₂の作製

〇内藤 響¹、中西 勇介¹、Lim Hong En¹、遠藤 尚彦¹、渡辺 賢司²、谷口 尚²、宮田 耕充¹ (1.都立大理、2.NIMS)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、半導体、超格子

CVD成長した単層MoS₂の高収率かつ連続的なドライ転写について報告する。ドライ転写は、増渕らによって報告された熱可塑性樹脂を利用した。樹脂の接着温度等を改善することで、CVD MoS₂の回収率の改善を検討した。Si基板に単層MoS₂単結晶を合成し、これを連続的に10枚重ねることでツイスト型10層MoS₂の作製に成功した。本プロセスは任意の積層角のモアレ超格子を迅速に作製可能であり、その基礎物性や応用研究の発展に有用であると期待される。