[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-1] Mg₂Siショットキーダイオードの電気特性の解析

〇千葉 諒¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：シリサイド半導体

我々は、Mg₂Siを用いた民生用の安価な短波長赤外線センサの開発を行なっている。過去にMg₂Siバルク結晶の劈開面へのショットキー接合の作製及び、J-V特性評価によって、Mg₂Siの電子親和力4.51[eV]が見積もられている。今回、Mg₂SiショットキーダイオードのJ-V特性と、C-V特性の評価によってMg₂Siの電子親和力の評価、及びそれぞれの特性から得られた値の比較を行なった。