[11p-N304-1~13] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-N304-1] Analysis of electrical characteristics of Mg₂Si Schottky diodes

〇Makoto Chiba¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:silicide semiconductor

我々は、Mg₂Siを用いた民生用の安価な短波長赤外線センサの開発を行なっている。過去にMg₂Siバルク結晶の劈開面へのショットキー接合の作製及び、J-V特性評価によって、Mg₂Siの電子親和力4.51[eV]が見積もられている。今回、Mg₂SiショットキーダイオードのJ-V特性と、C-V特性の評価によってMg₂Siの電子親和力の評価、及びそれぞれの特性から得られた値の比較を行なった。