[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-10] β-FeSi₂/Si変調ドーピング構造の作製と電気特性評価

〇山戸 一輝¹、神田 秀和¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：β-FeSi2、シリサイド半導体

Si/β-FeSi₂ヘテロ界面では，電子親和力の差(0.32 eV)により伝導帯にバンド不連続が存在し，Si/β-FeSi₂ヘテロ界面における二次元電子ガス(2DEG)の形成が期待される．我々は，Si/β-FeSi₂変調ドーピング構造での2DEG形成を目指している．Sb変調ドープSi層を電子供給層に用いるが，Si中Sbは成長表面への偏析が報告されている．本研究では，β-FeSi₂とSiの積層順を変化させた2種類のβ-FeSi₂/Si変調ドーピング構造を作製し，電気特性評価からSb偏析効果が2DEG形成におよぼす影響を検証した．