2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年9月11日(土) 13:30 〜 17:00 N304 (口頭)

末益 崇(筑波大)、寺井 慶和(九工大)

16:45 〜 17:00

[11p-N304-13] 等電子不純物をドーピングしたα-SrSi2の熱電輸送特性の第一原理計算

〇(M2)山口 諒人1、塩尻 大士1、平山 尚美2、今井 庸二1、飯田 努1 (1.東京理科大、2.島根大)

キーワード:α-SrSi2、混成汎関数、第一原理計算

α-SrSi2は無毒かつ資源豊富な元素から構成されており、500 K未満の低温度域での利用が期待されている。実用化にはp型性能の向上とn型伝導の実現が不可欠だが、α-SrSi2はと極めてバンドギャップが狭い(13–35 meV)ため、第一原理計算による熱電輸送特性に関する報告は殆どない。本研究では、混成汎関数法により等電子不純物をドーピングしたα-SrSi2の電子構造と熱電輸送特性について調べた。