[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-4] X線ロッキングカーブ測定によるMg₂Si基板の評価

〇梅原 翼¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：半導体、Mg2Si、X線

室温での禁制帯幅が約0.6eVのMg₂Siは、低コストで大量生産に適した短波長赤外域の受光素子材料として期待される。現状、ウェハとして切り出した際の表面加工条件や結晶性の研究は進んでおらず、受光素子の作製に適したウェハ加工技術を確立する必要がある。本研究では、Mg₂Siの研磨を行い、XRC測定のピークテールを用いた研磨表面の結晶性評価について報告する。