[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-7] 偏光ラマンスペクトルによるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃エピタキシャル膜の評価

〇近藤 智裕¹、野崎 孝武¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：トポロジカル絶縁体

我々は基板温度120 ℃の低温成長により，Si, Al₂O₃, SiO₂基板上にBi₂Se₃をエピタキシャル成長させ，ファンデルワールスエピタキシーの基板種依存性を検証した．また，偏光ラマンスペクトルによる偏光解消度と電子移動度に明確な相関があることを見いだした．