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[11p-N304-9] Si/β-(Fe1-xRux)Si2/Si多結晶積層構造における1.5 μm発光の寿命評価
キーワード:β-FeSi2、混晶半導体、シリサイド半導体
β-FeSi2は,室温で発光(PL)強度が得られていない.その原因の一つとして,Feの3d軌道が支配的であるため,バンド間遷移確率が小さいことがあげられる.我々はFeの一部をRuで置換し,価電子帯でのSi-p軌道の寄与度を上げることで,バンド間遷移確率の増大を目指している.我々は,Ru添加によって発光強度の増大を観測した.この発光強度増大のメカニズムを検証するため,発光寿命を評価したので報告する.