[11p-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11p-N305-8] Output characteristics of SOI-Si/4H-SiC hybrid pixel devices for radiation hardened CMOS image sensors

〇Tatsuya Meguro¹, Masayuki Tsutsumi¹, Akinori Takeyama², Takeshi Ohshima², Yasunori Tanaka³, Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.Hiroshima Univ., 2.QST, 3.AIST)

Keywords:SiC, Image sensor, Wafer bonding

原子力発電所の廃炉作業ロボットは、放射線に対して強い耐性が求められる。投入されるロボットは、そのイメージセンサにより稼動時間が制限される。本研究では，従来のイメージセンサの画素が備えるSi-MOSFETを、SiC-MOSFETに置き換えることにより、高い放射線耐性を目指したハイブリッド型画素デバイスの作製と、その特性評価について報告する。