[11p-N324-1~6] 放射線計測技術および材料の現状と最新動向

[11p-N324-2] III族窒化物半導体を用いた中性子検出器の開発

〇中野 貴之^1,2、青木 徹^1,2 (1.静大電研、2.静大院)

キーワード：中性子検出器、半導体検出器、III族窒化物

III族窒化物半導体材料であるBGaNを中性子半導体検出器として提案し開発を行っている。これまでの研究により、有機金属気相エピタキシー法を用いてBGaN結晶の作製を行い、作製したBGaNダイオードにより中性子捕獲反応に相当するエネルギーの検出信号を得ている。