[11p-N401-1~7] 11.1 Fundamental properties

[11p-N401-2] Study of material composition dependence of device properties in Bi2212-THz emitter Ⅱ

〇Shungo Nakagawa^1,2, Takanari Kashiwagi¹, Mayu Nakayama^1,2, Jeonghyuk Kim¹, Takuya Yamaguchi¹, Genki Kuwano¹, Manabu Tsujimoto^1,2, Hidetoshi Minami¹, Kazuo Kadowaki¹, Shigeyuki Ishida², Hiroshi Eisaki², Hironori Nakao³, Takashi Mochiku⁴, Yukio Hasegawa⁵, Shojiro Kimura⁶ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST, 3.PF IMSS KEK, 4.NIMS, 5.The Univ. of Tokyo, 6.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:THz, High-Tc superconductor, Intrinsic Josephson Junction

銅酸化物超伝導体Bi2212を用いたTHz波発振器について、材料観点からの評価を行っている。今回、Biの一部をPbに置換した結晶と、Caの一部をYに置換した結晶についてデバイスを作製し、放射光X線回折実験で結晶を評価した。その結果、特にPb置換を行った結晶では、c軸格子長が熱処理の効果を受けづらいことが分かった。当日は、デバイスのI-V特性と上記の結晶の特性を関連付けて報告する。