The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[12a-N101-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

Sun. Sep 12, 2021 9:00 AM - 11:45 AM N101 (Oral)

Jun Tatebayashi(Osaka Univ.), Takao Oto(Yamagata Univ.)

10:00 AM - 10:15 AM

[12a-N101-5] Evaluation of GaInN besed photovoltaic cells under monochromatic light illumination for optical wireless power transmission system

Taiki Nakabayashi1, Kousuke Yamamoto1, Pradip Dalapati1, Takashi Egawa1, Makoto Miyoshi1 (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:GaInN-MQW, MOCVD

半導体レーザと受光デバイスを用いた光無線給電システムは、システムが簡便である事、比較的大きなエネルギーの長距離伝送が可能である事などから、広範囲の応用分野への適用が期待されている。当研究室では、Ga0.9In0.1N/GaN 多重量子井戸(MQW)を光吸収層とするGaInN 系太陽電池セルを試作し、特定の波長範囲での良好な太陽電池動作と80%を超える高い外部量子効率(EQE)を示したことを報告している。一方、光無線給電システムに適用するためには、EQE に加えてI-V特性の向上が課題となる。本研究では、光無線給電システムに向けたGaInN 系受光素子として、エピタキシャル層の品質向上に焦点を当て、高いEQEを維持したまま単色光照射下でのI-V特性の向上に取り組んだ。