[12a-N104-1~10] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[12a-N104-3] Defect annealing of poly-Si films formed by flash lamp annealing

〇Yudai Yanagi¹, Zheng Wang¹, Tu Huynh Thi Cam¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Thin-film polycrystalline silicon, Rapid thermal annealing

FLAにより形成したpoly-Si膜への、RTAによる欠陥アニールを試みた。RTAを行った試料をラマン分光法で評価したところ、FWHMが小さくなり、結晶性の改善が確認された。また、アニール時間の増大にともないFWHMが小さくなる傾向が見られた。FWHMの低下は3 minほどで飽和しており、短時間のRTAでの低欠陥化が期待できる。