[12a-N202-1~8] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

[12a-N202-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Feasibility of Si photodetector for mid-infrared wavelength using stimulated emission by dressed photons

〇Takuya Kadowaki¹, Tadashi Kawazoe¹, Motoichi Ohtsu², Masahiko Sano¹, Takashi Mukai¹ (1.Nichia Corp., 2.Research Origin for Dressed Photon)

Keywords:Si, infrared, detector

ドレスト光子(DP)技術によりSi結晶を用いた非冷却型の赤外受光素子を作製した。この素子では入射光により生成されたDPが励起したコヒーレントフォノンを介して電子がバンド間励起されるため、バンドギャップエネルギーで決まるλ_c以上の長波の光にも感度を持つ。特に波長1.99 μmでの感度は室温で5 mA/Wであり中赤外領域でも高い感度を持つ可能性を示した。