[12a-N202-1~8] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

[12a-N202-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ドレスト光子による誘導放出を利用した中赤外帯シリコン受光素子の実現可能性

〇門脇 拓也¹、川添 忠¹、大津 元一²、佐野 雅彦¹、向井 孝志¹ (1.日亜化学、2.ドレスト光子研究起点)

キーワード：シリコン、赤外、受光素子

ドレスト光子(DP)技術によりSi結晶を用いた非冷却型の赤外受光素子を作製した。この素子では入射光により生成されたDPが励起したコヒーレントフォノンを介して電子がバンド間励起されるため、バンドギャップエネルギーで決まるλ_c以上の長波の光にも感度を持つ。特に波長1.99 μmでの感度は室温で5 mA/Wであり中赤外領域でも高い感度を持つ可能性を示した。