2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[12a-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 N203 (口頭)

村岡 祐治(岡山大)、室谷 裕志(東海大)

09:45 〜 10:00

[12a-N203-4] TiNの有機金属分子線エピタキシー

大久保 勇男1、相澤 俊1、Mikk Lippmaa2、森 孝雄1 (1.物材機構、2.東大物性研)

キーワード:分⼦線エピタキシー、遷移⾦属窒化物

遷移金属窒化物、特に複合窒化物は、第一原理計算で種々の特徴的な物性発現が予測されている。我々は、遷移金属窒化物の新物質開拓を行う目的で、有機金属分子線エピタキシー(MO-MBE)装置を開発してきた。前回の応物 春季講演会では、MO-MBE装置によるTiN薄膜作製実験に、機械学習を用いたclosed-loop薄膜作製手法を報告した。本講演では、Tiの原料として有機金属分子・TDMATを、MBE成長の原料として初めて用いたTiNの薄膜成長の詳細について報告する。