2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[12a-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 N203 (口頭)

村岡 祐治(岡山大)、室谷 裕志(東海大)

10:30 〜 10:45

[12a-N203-7] CaF2上におけるBi2Te3超薄膜の成長と電子物性

八田 振一郎1、檜垣 慎平1、奥山 弘1、有賀 哲也1 (1.京大院理)

キーワード:超薄膜、層状物質、エピタキシャル成長

層状化合物であるBi2Te3の超薄膜を、CaF2(111)/Si(111)基板上にMBE成長させた。Bi2Te3はエピタキシャル成長し、低速電子回折からシングルドメインであることが確認された。5QL(~5nm)以下の薄膜のバンド構造および電気伝導度を角度分解光電子分光と4端子法を用いて調べ、この超薄膜の電子物性の膜厚依存性について報告する。