[12a-N205-1~12] 12.4 有機EL・トランジスタ

[12a-N205-10] Ph-BTBT-10とF₄-TCNQの電荷移動錯体薄膜の形成とトランジスタ動作

〇高丸 俊¹、半那 純一¹、飯野 裕明¹ (1.東工大未来研)

キーワード：有機半導体、電荷移動錯体、有機トランジスタ

電荷移動錯体を用いた有機電界効果トランジスタはnチャネル動作を示すデバイスとして期待されている．本研究では、ドナーである液晶性有機半導体材料のPh-BTBT-10とアクセプターであるF₄-TCNQを積層させて，加熱によりアクセプター分子をドナー薄膜内に拡散させる方法により，平坦な電荷移動錯体薄膜を作製し，新たな電荷移動錯体薄膜のトランジスタ動作について報告する．