[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-N206-1] RFリアクティブマグネトロンスパッタ法を用いたNiO:Li薄膜のエピタキシャル成長及び電気特性の検討

〇橋本 侑弥¹、西本 啓介¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

キーワード：NiO、電気特性、スパッタ法