[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-N206-9] 【注目講演】高移動度水素化In₂O₃薄膜トランジスタ

〇曲 勇作¹、片岡 大樹²、古田 守²、葉 文昌¹ (1.島根大、2.高知工大)

キーワード：酸化物半導体、酸化インジウム、薄膜トランジスタ

非晶質酸化物薄膜トランジスタ(TFT)開発において、In-rich組成にすることで、高移動度化が図られている。In組成の増大に伴い、キャリア移動度は増大する一方、酸素欠損など真性欠陥がドナー準位を形成し、キャリア濃度の制御性に課題がある。我々は、In₂O₃スパッタ成膜時の水素雰囲気を制御し、大気中で熱処理を施すことで、固相結晶化後のキャリア濃度を10¹⁷cm^-3まで大幅に低減させることに成功した。本手法により作製した多結晶In₂O₃:H TFTにおいてµ_FE = 138.3 cm²V^-1s^-1を実現した。