2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[12a-N301-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N301 (口頭)

内田 寛(上智大)、田岡 紀之(名大)、川江 健(金沢大)

09:00 〜 09:15

[12a-N301-1] CSD法によるLaNiO3薄膜の自己配向成長と成膜条件の相関

芦原 凛太郎1、河原 正美2、岡﨑 宏之3、山本 春也3、〇川江 健1 (1.金沢大理工、2.高純度化学研究所、3.量研・高崎研)

キーワード:LaNiO3、自己配向、化学溶液堆積法

様々な基板上で自己配向性を示すLaNiO3(LNO)薄膜は、多様なペロブスカイト酸化物薄膜の形成に対するテンプレート層として期待される。これまでに化学溶液堆積(CSD)法で作製したLNO薄膜の自己配向と熱処理条件の関係性や目的物質に対するテンプレート機能について報告してきた。本研究では、CSD溶液や基板材料の違いによるLNO薄膜の自己配向性に関して、主にテンプレート機能を中心に検証を行った。