2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[12a-N304-1~11] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N304 (口頭)

松川 貴(産総研)

09:00 〜 09:15

[12a-N304-1] Decomposition of Drain Current Variability Components in Extremely Narrow GAA Silicon Nanowire MOSFETs

〇(M2C)Zihao Liu1、Tomoko Mizutani1、Takuya Saraya1、Masaharu Kobayashi1,2、Toshiro Hiramoto1 (1.IIS,Univ. of Tokyo、2.d.lab,Univ. of Tokyo)

キーワード:nanowire, variability, decomposition

Silicon nanowire MOSFET (NWFET) is one of the most promising candidates for ultimate scaling. However, its on-current (Ion) variability has not yet been investigated. Therefore, in this study the drain current variability is analyzed and compared with traditional bulk and FDSOI MOSFETs.