[12a-N304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [12a-N304-2] Shape control of Si Microwires on Si(110) Surface by Anodization

〇(M2)Rei Kuriki¹, Tomohiro Mihira², Toshiaki Suzuki¹, Masaaki Niwa¹, Mitsuya Motohashi¹ (1.Tokyo Denki Univ, 2.JEOL)

Keywords:silicon wire, dislocation, anodization

Si(110)基板は、他の面指数に比べキャリアの移動度が高いことから超高速デバイスへの応用が期待されている。現在までに我々は、溝引きを行い転位を形成した基板を陽極酸化することで、Siマイクロワイヤの作製を行ってきた。今回、溝引き時のペン圧を変化させることでワイヤの形状制御を検討した。その結果、ペン圧が変化すると溝の幅も変化し、ワイヤの太さも変化することが分かった。